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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

C3D02060E 

产品描述

Diode Schottky 600V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

84-C3D02060E

#1

数量:3600
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#2

数量:6750
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C3D02060E产品详细规格

规格书 C3D02060E datasheet 规格书
C3D02060E datasheet 规格书
C3D02060E datasheet 规格书
C3D02060E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
二极管型 Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向(VR)(最大值) 600V
电流 - 平均整流(Io) 2A
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 1.7V @ 2A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 反向漏VR 50µA @ 600V
电容@ Vr,F 120pF @ 0V, 1MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252-2
包装材料 Tube
包装 3TO-252
类型 Schottky Diode
配置 Single Dual Cathode
峰值反向重复电压 600 V
峰值平均正向电流 2 A
峰值反向电流 50 uA
峰值正向电压 1.7 V
峰值不重复浪涌电流 65 A
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
峰值反向电流 50
峰值不重复浪涌电流 65
包装宽度 6.25(Max)
PCB 2
最大功率耗散 39500
欧盟RoHS指令 Compliant
峰值正向电压 1.7
峰值反向重复电压 600
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
包装长度 7.34(Max)
工作结温度 -55 to 175
引脚数 3
最大连续正向电流 2
包装高度 2.39(Max)
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
封装 Tube
电流 - Vr时反向漏电 50µA @ 600V
安装类型 Surface Mount
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.7V @ 2A
电压 - ( Vr)(最大) 600V
热阻 3.8°C/W Jc
电容@ Vr ,F 120pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 TO-252-2
反向恢复时间(trr ) 0ns
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 75
电流 - 平均整流(Io ) 2A
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸 7.341 x 7.518 x 2.388mm
身高 2.388mm
长度 7.341mm
最大连续正向电流 2A
最高工作温度 +175 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-252-2
峰值不重复正向浪涌电流 0.065kA
整流器类型 General Purpose
宽度 7.518mm
最大二极管电容 120 pF
正向电压下降 1.7 V
产品 Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散 39.5 W
正向连续电流 2 A
最大反向漏泄电流 50 uA
峰值反向电压 600 V
安装风格 SMD/SMT
最大浪涌电流 65 A
封装/外壳 TO-252-2
RoHS RoHS Compliant
工作温度范围 175C
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
峰值不重复浪涌电流(最大) 65
高峰代表冯电压 600
冯页次 50
正向电压 1.7
平均。 2
删除 Compliant
associated TP0006
273-AB

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